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为应对内存良率、性能困局:消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM

文 / 小亚 2025-01-21 23:02:23 来源:亚汇网

据悉该新版12nm级DRAM工艺项目名为D1B-P(亚汇网注:P为Prime的简写),专注改进能效和散热表现,这与三星此前的第六代V-NAND改进版制程V6P采用了相同的命名逻辑。▲三星电子基于现有12nm级制程的32GbDDR5三星在2022年12月、2023年5月先后宣布其12nm级DDR5DRAM完成开发与批量生产,但此代工艺并未在LPDDR5x等关键领域取得成功,此外,现有12nm级DRAM工艺在作出启动D1B-P项目的决定时良率仅有60%左右,远低于业界大规模量产所需的80%~90%。报道指出三星电子在2024年底为D1B-P项目紧急订购了必需设备,该制程预计将于2025年内量产,最早的推出时间则是今年2~3季度。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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